Page 68 - 运鑫服饰画册

PAGE/67 成都工业学院科研成果汇编

3. 先进 CMOS 工艺的可靠性研究

项目简介

该项目包含的子项目有：先进 FDSOI CMOS 集成电路的可靠性评价研究、先进商用 CMOS 工艺线的热载流子效应
研究以及 FinFET CMOS 技术的可靠性研究。主要对比研究体硅平面、FinFET 和 FDSOI 三种先进的主流商用 CMOS 集
成电路工艺的可靠性。内容主要包括失效机理、表征方法以及加固技术。主要应用是为先进 CMOS 工艺的不断完善提供
理论研究和实验研究方法基础，并为高可靠 CMOS 集成电路的研制提供建模建库数据、恶劣环境应用的风险预估和工艺
选择评估。

Vd=-0.05
0.0026 Vd=-0.05
0.0024 Vd=-0.775
0.0022 Vd=-0.775
Vd=-1.5
0.0020 Vd=-1.5
0.0018
0.0016
Id(1-1) (A) 0.0014
0.0012
0.0010
0.0008
0.0006
0.0004
0.0002
0.0000
-0.0002
0.2 0.0 -0.2 -0.4 -0.6 -0.8 -1.0 -1.2 -1.4 -1.6
Vg (V)
不同电学应力和辐射应力条件下的经时击穿效应、热载流子效应和负偏置温度不稳定性效应研究

技术指标

序号 指标名称 参数
1 工艺类型 传统体硅平面、22nm FDSOI 和 FinFET 技术

项目成熟度

可与高可靠集成电路研制结合

转化方式

技术许可